摘要: 结温是影响IGBT (Insulated-GateBipolarTransistor)寿命的关键因素,为了延长两电平逆变器寿命,提出 一种改进的模型预测电流控制 (ModelPredictiveCurrentControl,MPCC)策略.首先,针对功率损耗产生原理,建 立IGBT的损耗因子;其次,考虑三相电流方向和不同功率管的导通情况,在IGBT 开关和导通时刻加入不同的损耗 因子,控制功率损耗的产生.通过仿真验证,相比传统模型预测电流控制和空间矢量脉宽调制策略,所提方法在保证 控制性能的同时降低了功率器件结温,延长了寿命.